Продвижение памяти фазового перехода

Тайваньский научно-исследовательский институт в Китае заявил, что в течение трех лет он запустит память с изменением фазы (PRAM), а другая технология MRAM (магнитное случайное хранилище), которая конкурирует с памятью DRAM, также вступит в практическую стадию в конце 2008 года.

Научно - исследовательский институт промышленных технологий (ITRI), который сотрудничает с шестью тайваньскими производителями микросхем в Китае, начал разработку технологии памяти с изменением фазы два года назад.К настоящему времени кооперативная группа получила 50 патентов на соответствующие новые технологии, изготовила прототипы микросхем и завершила резку пластин. Партнерство ITRI с производителями микросхем закончится в июне следующего года, но возможно снова сформировать новое партнерство.
Память PRAM может сохранять данные при прерывании питания чипа, что работает по тому же принципу, что и обычная флэш-память.Однако PRAM записывает данные в 30 раз быстрее, чем блоки флэш-памяти, и его жизненный цикл будет как минимум в десять раз выше.
Возможно, ITRI не первый бизнес, продающий продукты памяти для детских колясок.Samsung, крупнейший в мире производитель чипов, выпустил прототип новой памяти объемом 512 МБ в прошлом году и, как ожидается, поступит в продажу в начале следующего года.Но у ITRI и других компаний есть потенциал превзойти Samsung с большим объемом памяти и другими функциями.
Другие производители микросхем также активно развивают память с фазовым переходом, в том числе корпорация Intel, корпорация IBM, корпорация Qimonda, корпорация STMicroelectronics, корпорация Hynix Semiconductor и Ovonyx.
TSMC и ITRI также разрабатывают технологию магнитной случайной памяти (MRAM), и обе стороны получили более 40 патентов