Zhaoyi Innovation сотрудничает с инвестиционной компанией Hefei

В прошлую пятницу Zhaoyi Innovation объявила, что подписала "Соглашение о сотрудничестве в области исследований и разработок в области памяти" с компанией Hefei Industrial Investment Holding (Group) Co., Ltd. и будет осуществлять проекты НИОКР для 19-нм технологической памяти (включая DRAM и т. Д.) С бюджетом около 18 млрд. юаней.

Цель состоит в том, чтобы успешно разработать ее до 31 декабря 2018 года. Инвестиции, необходимые для проекта, должны быть привлечены компанией Zhaoyi Innovation и Инвестиционной компанией Хэфэй в соотношении 1:4. Методы капиталовложений включают, но не ограничиваются, прямыми или косвенными инвестициями в акционерный капитал обеими сторонами или за счет кредитов, предоставленных ими самими или назначенными организациями.

С точки зрения будущих производственных мощностей, решено, что DRAM, разработанному и произведенному в рамках проекта, будет отдаваться приоритет Zhaoyi для внедрения инноваций, продажи и удовлетворения потребностей рынка своих клиентов, а также для удовлетворения потребностей oem своих продуктов DRAM.

Zhaoyi Innovation также опубликовала отчет за третий квартал 2017 года, в котором операционная прибыль составила 1,517 млрд юаней, увеличившись на 44,69% в годовом исчислении; чистая прибыль составила 339 млн юаней, увеличившись на 134,7402% в годовом исчислении.В начале торгов 30 октября доска из одного слова Zhaoyi Innovation выросла и остановилась (сегодня она открылась на отметке 148,64, а затем закрылась на отметке 135,13, увеличившись на 10%).

В последние годы государство активизировало строительство индустрии хранения данных и усилило акцент на безопасном хранении данных и информации. Политика поддержки промышленности и инвестиции в новые проекты также продолжают набирать обороты.С момента выпуска "Плана содействия развитию национальной индустрии интегральных схем" национальным правительством в Национальный крупный фонд/Huaxin Investment инвестировала более чем в 50 проектов и более чем в 40 компаний, темпы развития индустрии интегральных схем в Китае продолжаются.

Для того, чтобы ответить на призыв национальной политики и ускорить локализацию микросхем памяти.Zhaoyi Innovation планировала приобрести ISSI, производителя микросхем памяти, специализирующегося на DRAM и SRAM, чтобы выйти на рынок DRAM.Однако вечером 3 августа Zhaoyi Innovation объявила о прекращении приобретения ISSI, что привело к обратным результатам.Теперь Zhaoyi Innovation сотрудничает с инвестиционной компанией Hefei для разработки памяти с 19-нм технологическим процессом и снова вышла на рынок DRAM.

Кроме того, в настоящее время строится проект по производству высококачественных накопительных пластин Хэфэй Чансинь. Планируется построить научно-исследовательский проект по созданию пластин памяти DRAM с использованием передовых технологий в отрасли. Завод планируется завершить в 2017 году, а монтаж и ввод в эксплуатацию оборудования будут завершены в первой половине 2018 года, а производство ожидается во второй половине года.Если инновационные исследования и разработки в области памяти Чжаои и производственные проекты Хэфэй Чансинь будут успешно реализованы, это поможет Китаю повысить конкурентоспособность чипов памяти DRAM и получить достаточные производственные мощности, эффективно восполняя пробел в высокотехнологичной отрасли производства DRAM в Китае.

Что касается флэш-памяти NAND, производство и электростанция № 1 в рамках проекта Национальной базы памяти (фаза I) были завершены с опережением графика и, как ожидается, будут введены в эксплуатацию в 2018 году.На первом этапе проекта National memory base планируется инвестировать 224 миллиарда долларов США, который в основном включает в себя 3 производственных завода, офисные здания R&D и производственные вспомогательные объекты. Основное производство-3D NAND, а общая производственная мощность в будущем достигнет 300 000 штук в месяц.

В то же время Dongxin Semiconductor, отечественный разработчик микросхем памяти, успешно разработал продукты флэш-памяти 8 ГБ SLC/16 ГБ MLC NAND с использованием передовой технологии флэш-памяти 24 нм, что свидетельствует о том, что материковый Китай имеет возможность разрабатывать, проектировать и производить серию микросхем флэш-памяти с передовыми технологическими процессами, что еще больше сокращает разрыв с техническим уровнем международных производителей.

Кроме того, благодаря постоянному самосовершенствованию и превосходству производителей систем хранения данных, таких как Цзян Болун, а также производителей микросхем управления, таких как полупроводниковая решетка Кремния, Китай демонстрирует свои преимущества в производстве, проектировании и исследованиях возможностей индустрии хранения данных. В будущем он займет место на мировом рынке хранения данных и ускорит темпы локализации микросхем памяти.